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DOMESTIC PATENT
다치화를 구현한 강유전체 물질 기반의 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법
A three-dimensional flash memory based on a ferroelectric material implementing multi-level polarization states, and a method for operating the same
집적화를 도모하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
A three-dimensional flash memory capable of achieving high integration, and a method for manufacturing the same
가상 현실 공간 제공 방법 및 시스템
A method for providing a virtual reality space,
and a system therefor
복합 채널 물질 기반 3차원 플래시 메모리
A three-dimensional flash memory based on
a composite channel material
반도체 성막 시스템
A semiconductor film deposition system
백 게이트를 포함하는 3차원 플래시 메모리
A three-dimensional flash memory including
a back gate
비휘발성 랜덤 액세스 스토리지, 그 동작 방법 및 그 제조방법
A non-volatile random access storage,
a method of operating the same,
and a method of manufacturing the same
듀얼 정션 구조를 갖는 3차원 메모리
A three-dimensional memory having a dual junction structure
기록 배선 및 판독 배선을 구분하여 포함하는 구조의 3차원 메모리
A three-dimensional memory having a structure including separate write lines and read lines
셀 전류를 개선한 구조의 3차원 플래시 메모리
A three-dimensional flash memory having a structure with improved cell current
누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리
A three-dimensional flash memory for reducing leakage current
원가절감형 비트라인 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법
A three-dimensional flash memory device having
a cost-reduced bit line structure, and a method for manufacturing the same
드레인 및 소스로 구성되는 중간 배선들을 포함하는 3차원 플래시 메모리
A three-dimensional flash memory including intermediate lines composed of a drain and a source
집적도를 향상시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법
A three-dimensional flash memory with improved integration density, and a method for operating
the same
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